Triển lãm Công nghệ CES 2017:

Qualcomm tiết lộ về vi xử lý di động mạnh nhất Snapdragon 835

(Dân trí) - Đúng như dự kiến, hãng sản xuất vi xử lý di động lớn nhất hiện nay - Qualcomm đã tiết lộ thêm nhiều thông tin chi tiết về thế hệ vi xử lý di động mới và mạnh mẽ nhất của hãng, Snapdragon 835, tại Triển lãm công nghệ CES 2017 đang diễn ra tại Las Vegas (Mỹ).

Được giới thiệu lần đầu tiên hồi tháng 11/2016, Snapdragon 835 là thế hệ vi xử lý di động mới và cao cấp nhất hiện nay của Qualcomm. Mới đây hãng sản xuất vi xử lý này vừa tiếp tục hé lộ thêm những thông tin chi tiết mới về thế hệ vi xử lý này tại Triển lãm công nghệ CES 2017 đang diễn ra.

Theo đó, Snapdragon 835 sẽ được trang bị 8 nhân xử lý cấu trúc Kryo 280 (thay vì chỉ 4 nhân xử lý như thế hệ Snapdragon 820 và 821 hiện nay), trong đó gồm 4 nhân vi xử lý tốc độ cao xung nhịp 2.45GHz để đáp ứng các tác vụ nặng và 4 nhân vi xử lý tốc độ thấp tiết kiệm năng lượng xung nhịp 1.9GHz để phục vụ các tác vụ nhẹ hơn nhằm tiết kiệm năng lượng hoạt động, mà theo Qualcomm 80% thời gian thiết bị di động sẽ sử dụng 4 nhân xử lý này.

Snapdragon 835 có thiết kế nhỏ gọn hơn nhưng cho hiệu suất cao hơn thế hệ Snapdragon 820 cao cấp hiện nay
Snapdragon 835 có thiết kế nhỏ gọn hơn nhưng cho hiệu suất cao hơn thế hệ Snapdragon 820 cao cấp hiện nay

Snapdragon 835 là vi xử lý di động đầu tiên trên thế giới được sản xuất trên tiến trình 10nm, thay vì 14nm như trên Snapdragon 820 và 821, giúp Snapdragon 835 có thiết kế nhỏ gọn hơn, hiệu suất cao hơn và tiết kiệm năng lượng hơn. Qualcomm cho biết so với Snapdragon 820 thì phiên bản 835 nhỏ hơn 30%, cho hiệu suất cao hơn 27% (thay vì chỉ 10% như Snapdragon 821 so với 820) và tiết kiệm năng lượng hơn 40%.

Snapdragon 835 cũng được tối ưu để tiết kiệm năng lượng, mà theo Qualcomm sẽ cho phép thiết bị di động gọi điện trong hơn một ngày liên tục, nghe nhạc liên tục trong hơn 5 ngày, 7 giờ xem video chuẩn 4K và 3 giờ để quay video ở chuẩn 3K.

Thế hệ vi xử lý mới của Qualcomm cũng đi kèm với công nghệ sạc nhanh mới, Quick Charge 4.0, mà theo Qualcomm sẽ cho tốc độ sạc nhanh hơn 20% so với công nghệ sạc nhanh Quick Charge 3.0 hiện nay. Với Quick Charge 4.0, smartphone chỉ cần cắm sạc 5 phút là có thể đủ thời lượng pin sử dụng trong 5 giờ và mất 15 phút để sạc từ 0 lên 50% dung lượng pin.

Đi kèm theo Snapdragon 835 là thế hệ vi xử lý đồ họa Adreno 540, cho phép xử lý màu sắc nhiều gấp 60 lần và xử lý đồ họa 3D nhanh hơn 25 lần so với vi xử lý đồ họa Adreno 530 trang bị trên Snapdragon 820/821 hiện nay. Snapdragon 835 hỗ trợ camera lên đến 32 megapixel hoặc camera kép độ phân giải 16 megapixel cho mỗi camera, cho phép quay video chuẩn 4K ở tốc độ 30 khung hình/giây.

Hiện tại Qualcomm vẫn chưa công bố thời điểm chính thức ra mắt thế hệ vi xử lý Snapdragon 835, tuy nhiên gần như chắc chắn thế hệ vi xử lý này sẽ xuất hiện trên các mẫu smartphone cao cấp xuất hiện trong năm 2017 như Galaxy S8, HTC 11 hay LG G6...

So sánh sự khác biệt giữa 3 thế hệ vi xử lý cao cấp Snapdragon 835/821/820:

Thế hệ vi xử lý

Snapdragon 835

Snapdragon 821

Snapdragon 820

Tiến trình sản xuất

10nm

14nm

14nm

Số lõi CPU

8 lõi

4 lõi

4 lõi

Lõi CPU hiệu suất cao

4 lõi tốc 2.45GHz

2 lõi tốc độ 2.35GHz

2 lõi tốc độ 2.2GHz

Lõi CPU hiệu suất thấp

4 lõi tốc độ 1.9GHz

2 lõi tốc độ 2.0GHz

2 lõi tốc độ 1.6GHz

Vi xử lý đồ họa

Adreno 540

Adreno 530

Adreno 530

Xung nhịp vi xử lý đồ họa

Chưa rõ

635MHz

624MHz

Công nghệ sạc nhanh

Quick Charge 4.0

Quick Charge 3.0

Quick Charge 3.0

Thời điểm ra mắt

Đầu năm 2017

Quý III/2016

Quý IV/2015


T.Thủy
Tổng hợp