2010: Năm đột phá của bộ nhớ nano

Doanh số của bộ nhớ nano sẽ tăng vọt lên tới 7 tỷ USD vào năm 2010, vượt con số dự kiến của năm 2008 là 1,4 tỷ USD.

Công ty phân tích thị trường NanoMarkets nhận thấy, các công nghệ thẻ nhớ hiện tại đang trên đà phát triển mạnh đạt đến điểm giới hạn về dung lượng và tốc độ của thế giới liên lạc bằng di động thệ hệ tiếp theo. Do đó, trong tương lai bộ nhớ nano sẽ trở nên quan trọng hơn trên thị trường lưu trữ vốn đang rất sôi động.

NanoMarkets dự đoán, 4 loại thẻ nhớ chính sẽ xuất hiện trên thị trường bộ nhớ nano vào năm 2010, đó là RAM từ (MRam), Ovonic, bộ nhớ lưu trữ ánh sáng 3 chiều (holographic) và bộ nhớ tinh thể nano (nano-crystalline).

Theo số liệu của công ty phân tích thị trường Mỹ, đến năm 2010, thẻ nhớ MRam sẽ đạt doanh thu 1,5 tỷ, tiếp đó là thẻ nhớ sử dụng công nghệ holographic và bộ nhớ tinh thể nano với 980 triệu USD, và, bộ nhớ Ovonic thu được 877 triệu USD.

Công nghệ này hứa hẹn một tương lai tốt đẹp cho thẻ nhớ thế hệ tiếp theo dung lượng lớn, có thể thay thế những “đối thủ” SRam/Flash, RAM chạy bằng pin, kể cả các bộ nhớ dùng công nghệ không biến đổi (non-volatile) cho các thiết bị di động cao cấp, tức dữ liệu được lưu trữ ổn định trong thẻ, không bị đe dọa bởi sự cố mất điện và cũng không cần phải refresh theo định kỳ.

Thẻ nhớ MRam đang được hơn 20 công ty trên thế giới thử nghiệm. Trong khi đó, Intel, Freescale, Micron, Samsung và ST Microelectronics đang thiết lập các nền công nghệ mới để sử dụng trong kỷ nguyên hậu Flash. Theo các công ty này, bộ nhớ Ovonic, sử dụng chất antimon và telua, rất có tiềm năng.

Nghiên cứu của NanoMarkets nhận thấy, công nghệ tinh thể nano, có thể tạo ra bộ nhớ không biến đổi (non-volatile) trên chip máy tính, có rất nhiều khả năng sẽ được các công ty lưu trữ đón nhận.

Các nhà phân tích thì tin rằng, bộ nhớ holographic sẽ là một “kình địch” lớn của thị trường lưu trữ dữ liệu cao cấp và các thiết bị nghe nhạc video trong tương lại không xa.

NanoMarkets nhận định, bộ nhớ nano có bước khởi đầu chậm hơn với một số sản phẩm không thành công. Tuy nhiên, công ty này hy vọng, 2010 sẽ là “năm đột phá của bộ nhớ nano”, bởi vì các công nghệ nhớ thông thường sẽ không thể nâng cấp hơn nữa hoặc đáp ứng các nhu cầu ngày càng cao của môi trường điện toán phát triển như vũ bão.

Giải pháp nano được xác định như là công nghệ chủ đạo giải quyết những thiếu sót của các công nghệ hiện nay. Ví dụ, bộ nhớ tinh thể nano là bộ nhớ không biến đổi dành cho chip máy tính, giúp tăng số lần truy cập dữ liệu và giảm năng lượng hoạt động.

Các nhà nghiên cứu tin chắc công nghệ ống nano sẽ thay thế SRam tích hợp trên bộ nhớ đệm L2 và còn có thể giảm điện năng tiêu thụ trong CPU.

“Mram là mối đe dọa của ngành đĩa cứng nhờ tiêu thụ ít năng lượng, tốc độ xử lý nhanh”.

S.Hương (theo VNuNet)