10 năm nữa, PRAM thế chỗ chip NOR flash

(Dân trí) - Hãng điện tử Hàn Quốc Samsung vừa tạo ra một con chip nhớ nguyên mẫu có thể thay thế loại thẻ nhớ NOR flash mật độ cao trong vòng 10 năm tới. PRAM có tốc độ xử lý nhanh gấp 30 lần thẻ nhớ flash nhờ khả năng lưu trữ dữ liệu nhanh hơn

Chip PRAM (viết tắt từ phase-change Random Access Memory) có thể ghi lại dữ liệu mà không xóa thông tin có sẵn trên bộ nhớ, tốc độ xử lý nhanh hơn 30 lần so với thẻ nhớ flash, theo Samsung.

 

Samsung cho biết, loại thẻ nhớ này - có vòng đời nhiều gấp 10 lần so với “tiền bối” flash - sẽ có mặt trên thị trường vào năm 2008. Hãng này còn quảng cáo, PRAM giúp giảm bớt 20% thao tác xử lý trên thiết bị.

 

Hiện tại đang có hai loại chip nhớ flash phi bất định (nonvolatile): NOR và NAND, được sử dụng phổ biến trong các thiết bị điện tử. Chip NOR thích hợp với những sản phẩm chạy trực tiếp phần mềm nhưng tốc độ chậm hơn và giá thành sản xuất đắt hơn, trong khi đó, chip NAND có dung lượng lớn hơn nên dễ dàng lưu trữ các file lớn, như MP3.

 

Samsung cho biết, chip PRAM sử dụng các cực trục đứng (vertical) và có cấu trúc transistor 3 chiều để tạo ra từng khối (cell) nhỏ. Không giống như chip NOR và NAND, thẻ nhớ thế hệ mới này không cần xóa bất kỳ dữ liệu cũ để lưu thông tin mới, hay là dữ liệu trên đó không bị mất đi do thiết bị bị tắt nguồn.

Hôm nay, Samsung cũng ra mắt chip flash NAND 32 GB được sản xuất dựa trên công nghệ 40 nanometer, giúp tiết kiệm điện năng. Hiện tại, hầu hết chip flash của hãng này đều được chế tạo dựa trên kỹ thuật 70 nanometer.

S.H

Theo The Inquirer, AP