Samsung sản xuất bộ nhớ OneNAND 1GB 70 nm

Thứ tư, 05/04/2006 - 09:42

(Dân trí) - Hôm nay, hãng điện tử Hàn Quốc tuyên bố bắt đầu sản xuất đại trà thẻ nhớ flash tốc độ cao OneNAND dung lượng 1GB dựa trên công nghệ 70nm. Bộ nhớ dành cho điện thoại di động thế hệ mới, máy ảnh kỹ thuật số và các ổ cứng “lai”.

Samsung cho biết, bộ nhớ OneNAND có tốc độ đọc là 108Mb/giây. Bộ nhớ phát triển trên công nghệ 70 nm đọc dữ liệu nhanh hơn 60% so với các flash OneNAND 90 nm (68 MB/giây).

Bộ nhớ OneNAND sản xuất trên công nghệ 70 nm giúp thiết bị khởi động nhanh hơn và có các chức năng đọc dữ liệu của bộ nhớ NOR Flash, đồng thời khả năng lưu trữ lớn hơn và tốc độ ghi cũng nhanh hơn so với bộ nhớ NAND.

Hãng điện tử hàng đầu Hàn Quốc dự đoán, doanh số thẻ nhớ OneNAND sẽ đạt 1 tỷ USD vào năm 2008, vượt 1,5 tỷ USD trong năm 2010.

OneNAND là bộ nhớ nhúng rất đáng tin cậy dành cho các thiết bị điện tử, điện thoại di động thế hệ mới. OneNAND tận dụng hai lợi thế: chức năng đọc dữ liệu tốc độ cao của thẻ nhớ NOR và khả năng lưu trữ nhiều dữ liệu của bộ nhớ NAND flash.

Kiến trúc NAND là một trong hai công nghệ bộ nhớ thể rắn flash (công nghệ khác là NOR) được sử dụng trong các thẻ nhớ, như CompactFlash. Nó cũng được sử dụng trong các ổ USB Flash, máy nghe nhạc MP3. Bộ nhớ này thích hợp với những thiết bị đòi hỏi lưu trữ nhiều dữ liệu, dung lượng lên tới 512 MB, tốc độ xóa, viết, đọc dữ liệu nhanh hơn bộ nhớ NOR. Kiến trúc NAND flash được hãng Toshiba khởi xướng năm 1989.

Kiến trúc NOR cũng được sử dụng trong các thẻ nhớ. NOR flash cung cấp dung lượng lưu trữ ít hơn so với NAND (32 MB). Tốc độ đọc dữ liệu nhanh nhưng khả năng ghi, viết thông tin chậm hơn NAND. Công nghệ NOR rất phổ biến trong các thiết kế nhúng, bộ chuyển đổi set-top thấp cấp, điện thoại di động và chip BIOS. Kiến trúc NOR flash được Intel khởi xướng năm 1988.

N.H

Theo VNuNet