Đột phá chip nhớ nhanh gấp 1.000 lần thẻ flash

Một nhóm các nhà khoa học của IBM, Macronix và Qimonda đã phát triển thành công một chất liệu dùng để sản xuất PRAM có tốc độ vận hành nhanh hơn và tiết kiệm điện năng. Chip flash hiện tại có thời gian thích ứng với câu lệnh chậm hơn nhưng lại tiêu hao nhiều điện năng hơn.

“Với chip nhớ PRAM này, người dùng có thể thực hiện rất nhiều tác nhiệm vốn là không thể với bộ nhớ flash”, Giám đốc bộ phận nghiên cứu công nghệ nano của IBM Spike Narayan cho biết. “Nó vừa có thể thay thế cho ổ cứng để hoạt động nhanh hơn trên máy tính, vừa giúp người dùng mang theo những ứng dụng cần thiết”.

Thông tin chi tiết về công nghệ này đã được các nhà khoa học công bố tại Hội nghị các thiết bị điện tử quốc tế năm 2006 ở San Francisco.

Các nhà nghiên cứu hy vọng công nghệ chip nhớ này sẽ thay thế bộ nhớ flash để giúp ngành thiết bị điện tử dễ dàng hơn trong việc phát triển những thiết bị nhỏ nhắn hơn nhưng lại mạnh mẽ hơn về tính năng.

“Buổi trình diễn công nghệ nhớ mới đã cho thấy một tương lai rất sáng sủa”, T.C. Chen, Phó chủ tịch công nghệ của IBM, khẳng định. “Người ta vẫn hy vọng rằng chip flash sẽ sớm vượt qua những hạn chế hiện nay. Nhưng, công nghệ “phase-change” thực tế lại mang lại hiệu quả tốt hơn nhiều”.

N.H.

Theo AP